L'action Navitas étend ses gains après que l'armée l'a sélectionnée pour le développement de puces d'alimentation SiC

Les actions de Navitas Semiconductor Corporation (NASDAQ : NVTS) se négocient à la hausse en raison d'une éventuelle poursuite de la dynamique mardi après que la société a annoncé lundi soir qu'elle avait été sélectionnée par l'armée américaine pour développer une technologie de semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium de 10 kV de nouvelle génération.

• Les actions de Navitas Semiconductor grimpent avec conviction. Qu'est-ce qui alimente la dynamique du NVTS ?

Navitas remporte le prix du programme ALATTIS de l'armée américaine pour sa technologie SiC 10 kV

Navitas a annoncé avoir obtenu le programme ALATTIS (IGBT SiC accéléré, à grande surface, 10 kV) à la suite d'une évaluation concurrentielle menée par les principales entreprises technologiques américaines du carbure de silicium. L'armée a cité le leadership de Navitas en matière d'innovation en matière de SiC à très haute tension et son écosystème de fabrication ancré aux États-Unis. Le projet de prototype, parrainé par l'Army Research Laboratory du Commandement pour le développement des capacités de combat de l'armée américaine et soutenu par le Joint Experimentation and Technology Accelerator, vise à développer et à valider un nouveau procédé de fabrication national pour les transistors bipolaires à grille isolée en carbure de silicium de 10 kV et les technologies de diodes PiN associées pour les systèmes de défense critiques.

Navitas a indiqué que son portefeuille de carbure de silicium GeneSic, mené par son architecture MOSFET planaire assistée par tranchées, couvre déjà des tensions nominales de 650 V à 6,5 kV, et que la société a été la pionnière de plusieurs premières industrielles dans le domaine du SiC à très haute tension, notamment des thyristors SiC 6,5 kV en 2010, des diodes PiN de 10 à 15 kV en 2012 et la commercialisation de MOSFET SiC 6,5 kV en 2021.

« Le prix ALATTIS marque une étape importante dans le développement des dispositifs d'alimentation en carbure de silicium (SiC) à très haute tension et récompense les plus de 20 ans d'innovation de Navitas dans la fourniture de technologies SiC fiables, à très haute tension et à haute puissance », a déclaré Siddarth Sundaresan, vice-président principal et directeur de la technologie chez Navitas. « Ce programme permet à Navitas d'étendre son leadership au-delà des MOSFET SiC en développant des IGBT SiC 10 kV de nouvelle génération basés sur notre architecture planaire assistée par tranchée (TAP) unique et brevetée et intégrés à des technologies avancées de diodes PiN. »

Les actions de Navitas augmentent

Evolution du cours du NVTS : Au moment de la publication, les actions Navitas se négociaient en hausse de 8,87 % à 12,77 dollars, selon les données de Benzinga Pro.

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