Le contrat de licence permet à Magnachip d'accéder aux technologies SiC GeneSiC™ Gen 4 et Gen 5 de Navitas couvrant des tensions de 1200 V, 2300 V, 3300 V et plus, soutenues par la chaîne d'approvisionnement et l'écosystème de matériaux de Navitas
Cibler les infrastructures énergétiques et de réseau, le stockage de l'énergie, l'électrification industrielle, l'automobile et d'autres systèmes à haute puissance en Corée
TORRANCE, Californie et SÉOUL, Corée du Sud, 23 juillet 2026 (GLOBE NEWSWIRE) -- Navitas Semiconductor Corporation (NASDAQ : NVTS), leader du secteur des semi-conducteurs de puissance de nouvelle génération au nitrure de gallium (GaN) et au carbure de silicium (SiC) GeneSiC™, et Magnachip Semiconductor Corporation (NYSE : MX), concepteur et fabricant de solutions de plateformes de semi-conducteurs de puissance analogiques et à signaux mixtes, aujourd'hui a annoncé un partenariat stratégique visant à accélérer l'adoption des technologies SiC sur les marchés de l'énergie à haute tension (HT) et à très haute tension (UHV)™ .
Selon les termes de l'accord, Magnachip accordera une licence à la technologie GeneSic™ Trench-Assisted Planar™ (TAP) de Navitas pour pénétrer les marchés du SiC HT et UHV. La licence couvre les technologies GeneSiC de 1200 V, 2300 V, 3300 V et plus, permettant à Magnachip de s'appuyer sur les plateformes de dispositifs SiC éprouvées de Navitas pour les applications de conversion de puissance de nouvelle génération.
Magnachip aura également accès à la chaîne d'approvisionnement et à l'écosystème de matériaux SiC de Navitas, ce qui permettra une entrée plus rapide sur le marché. Dans le même temps, la technologie devrait être portée, qualifiée et internalisée dans l'usine de Magnachip en Corée du Sud. Les entreprises s'attendent à ce que cette approche contribue à accélérer l'entrée de Magnachip dans le SiC tout en maintenant la continuité avec la base technologique et matérielle établie de Navitas. Les technologies sous licence devraient soutenir les applications de prochaine génération, notamment les infrastructures énergétiques et de réseau, le stockage de l'énergie, l'électrification industrielle, l'automobile et d'autres systèmes à haute puissance.
Les sociétés ont également déclaré que l'accord englobe un engagement plus large au-delà du SiC. D'autres domaines de partenariat devraient être détaillés et annoncés ultérieurement.